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半导体技术电子工程师职称论文

半导体技术电子工程师职称论文

《半导体技术》

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期刊周期:月刊
期刊级别:省级
国内统一刊号:13-1109/TN
国际标准刊号:1003-353X
主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
主管单位:中国电子科技集团公司
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半导体技术电子工程师职称论文

  《半导体技术》以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极的作用。"向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场,提供技术成果展示、转化和技术交流的平台,达到了促进我国半导体技术不断发展的目的"是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。趋势与展望:全面阐述半导体技术与应用的发展趋势;专题报道:每期就设计、生产、应用等企业关注的热门技术及焦点论题,进行有深度、广度的全面剖析;器件制造与应用:半导体器件的设计和制造及在各种领域中的应用;工艺技术与材料:介绍最新的半导体技术制作工艺和该领域用的新材料;集成电路设计与开发:各种IC的设计和应用技术、设计工具及发展动向;封装、测试与设备:介绍器件、芯片、电路的测试、设备和封装的前沿技术;MEMS技术:现代管理:半导体代工厂、洁净厂房、半导体用水及气体、化学品,等管理技术;综合新闻:及时发布世界各地半导体最新产品及技术信息。《半导体技术》的稿件来源于全国各主要研究机构、大专院校和企事业单位等。

  《半导体技术》(月刊)创刊于1976年,是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”。荣获中国科技论文统计用刊。

  半导体技术杂志栏目设置

  趋势与展望、 专题报道、 应用长廊、设计与开发、支撑技术、 新品推荐

  半导体技术杂志荣誉

  CA 化学文摘(美)CSCD 中国科学引文数据库来源期刊(含扩展版)JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)Pж(AJ) 文摘杂志(俄)SA 科学文摘(英)万方收录(中)上海图书馆馆藏剑桥科学文摘北大核心期刊(中国人文社会科学核心期刊)国家图书馆馆藏知网收录(中)统计源核心期刊(中国科技论文核心期刊)维普收录(中)Caj-cd规范获奖期刊中国期刊全文数据库(CJFD)中国核心期刊遴选数据库中国科技期刊核心期刊全国中文核心期刊

  半导体技术杂志社介绍

  1、文稿应资料可靠、数据准确、具有创造性、科学性、实用性。应立论新颖、论据充分、数据可靠,文责自负(严禁抄袭),文字要精炼。

  2、姓名在文题下按序排列,排列应在投稿时确定。作者姓名、单位、详细地址及邮政编码务必写清楚,多作者稿署名时须征得其他作者同意,排好先后次序,接录稿通知后不再改动。

  3、文章要求在2000-2400字符,格式一般要包括:题目、作者及单位、邮编、内容摘要、关键词、正文、参考文献等。文章标题字符要求在20字以内。

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  6、编辑部对来稿有删修权,不同意删修的稿件请在来稿中声明。我刊同时被国内多家学术期刊数据库收录,不同意收录的稿件,请在来稿中声明。

  期刊收录论文目录:

  14 nm工艺3D FinFET器件源漏寄生电阻提取与建模陈寿面;石艳玲 (120)

  使用Y函数方法提取MoS_2 FET双向扫描电学参数赵宇航;卢意飞;刘强 (125)

  原位生长包/芯/包层界面的氧化硅基阵列波导光栅吕文龙;张春权;吕金科;吕苗 (131)

  半导体制造技术

  退火处理对高阻AZO纳米叠层薄膜电学性能的影响关钧;拜晓峰;端木庆铎 (136)

  半导体材料

  水热法制备Cu_2O纳米薄膜及其光电性能丁红;高云鹏;苏泉;黎燕;钟福新 (142)

  可靠性

  振动载荷下三维封装的失效行为和疲劳特性分析夏江;黄林轶;刘群兴;彭琦;徐华伟;韦胜钰

《半导体技术》

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