半导体光电电子科技期刊

　　《半导体光电》(双月刊)创刊于1976年，由中国电子科技集团公司第四十四研究所(重庆光电技术研究所)主办。专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。荣获重庆市首届十佳期刊称号，1999年;信息产业部1999-2000年度优秀电子期刊称号、信息产业部优秀电子期刊、重庆市优秀期刊。

　　半导体光电杂志栏目设置

　　动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光通信、光电技术应用

　　半导体光电杂志荣誉

　　CA 化学文摘(美)JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)SA 科学文摘(英)万方收录(中)上海图书馆馆藏北大核心期刊(中国人文社会科学核心期刊)国家图书馆馆藏文摘与引文数据库知网收录(中)统计源核心期刊(中国科技论文核心期刊)维普收录(中)中国期刊全文数据库(CJFD)中国核心期刊遴选数据库中国科技期刊核心期刊全国中文核心期刊

　　半导体光电杂志社介绍

　　(1)来稿文责自负。文稿务必主题明确，论述合理，逻辑严谨，数据可靠，叙述清楚，文字精炼。内容应保守国家秘密，引用他人作品应给出来源。

　　(2)文稿一般不超过6000字，综述稿不超过8000字，其他类型的稿件酌减。属于综述、研究论文和技术报告的稿件，应附英文题名、作者名、单位名、摘要和关键词。基金项目应注明编号。

　　(3)摘要应包括目的、方法、结果和结论四个要素，也就是用简洁的语言说明文章要解决的问题，主要工作过程及所采用的技术手段和方法，研究所获得的实验数据、结果及其意义。篇幅以200～250字为宜。

　　(4)关键词以5～8个为宜。为便于文献检索，应尽可能提供中图分类号。

　　(5)文中涉及的物理量和计量单位应符合国家有关标准。计量单位请用GB3100-3102-93《量和单位》规定的法定计量单位。注意区分各物理量符号的文种、大、小写、正、斜体(矢量和矩阵用黑斜体)、上、下角标等。

　　(6)插图和表格应有图题和表题。插图应采用计算机制作，勿用截图。本刊为黑白印刷，请勿用彩色插图。

　　(7)文稿中引用他人的成果，务请写明原作者姓名、题名、来源,一并在参考文献中给出,并在正文中相应位置进行标示,否则责任由来稿人自负。参考文献只择主要的。文献的著录格式严格按照以下形式书写(含标点符号)：

　　1)专著：作者.书名.版本(第1版不著录)[M].出版地:出版者，出版年.起止页码.

　　2)译著:作者.书名[M].译者,译.出版地:出版者,出版年:起止页码.

　　3)期刊:作者.题名[J].刊名,出版年份,卷(期):起止页码.

　　4)会议论文集:作者.题名[C]//编者.论文集名.出版地:出版者,出版年:起止页码.

　　5)学位论文:作者.题名:[学位论文][D].保存地:保存者,年份.

　　6)专利文献:专利申请者.题名.专利国别,专利号[P].公告日期或公开日期.

　　7)标准:责任者.标准代号标准名称[S].出版地:出版者,出版年.

　　8)电子文献标注格式:主要责任者.题名：其它题名信息[文献类型标志/文献载体标志].出版地：出版者，出版年(更新或修改日期)[引用日期].获取和访问路径.

　　期刊收录论文目录：

　　石墨烯上生长GaN纳米线的研究陈丁丁;陈琳;修向前;李悦文;付润定;华雪梅;谢自力;刘斌; (813)

　　黑硅微结构与光学特性研究廖乃镘;刘晓琴;杨修伟;寇琳来;罗春林;向华兵;伍明娟;李仁 (818)

　　退火温度对SnF2掺杂SnO2薄膜性能的影响徐文武;周亚伟;张笑维;朱毕成;何春清 (822)

　　湿法腐蚀和干法刻蚀工艺对850nm VCSEL高速调制性能的影响董建;何晓颖;胡帅;何艳;吕本顺;李冲;郭霞 (826)

　　单晶生长用AlN粉料的烧结提纯工艺实验研究汪佳;曹凯;刘理想;吴亮 (830)

　　PbI2掺杂对CH3NH3PbI3光电性能的影响马文利;杨峰;陈骏荣;袁玲;余艳梅;赵勇